RIE刻蚀和ICP的刻蚀有什么区别？华慧高芯网做RIE刻蚀和ICP的刻蚀这两个刻蚀有什么优势

这两者区别挺大的，RIE: 单一的射频源，无法实现适当刻蚀速率下的低损伤刻蚀，工作气压高，不利于控制刻蚀形貌，等离子体密度低，无法获得高刻蚀速率。ICP：两个独立的射频源，可以实现高速率和低损伤刻蚀，工作气压低，利于控制形貌，等离子体密度高。 更多的详细的内容，欢迎咨询华慧高芯网，会有专业的工程师云您一对一沟通交流。华慧高芯网是国内领先、拥有光电领域全产业链闭环服务能力的电商服务平台，涵盖中高端光电芯片研发代工、检测分析等技术解决方案的服务能力。华慧高芯网依托清华大学天津电子院高端光电子芯片创新中心强大的技术储备和工艺团队，国内一流的科研实力。